Praegu on materjalid koostatudkeemilise aurustamise-sadestamise tehnoloogiaNeid ei kasutata mitte ainult lõikeriistade materjalides, kulumiskindlates, kuumakindlates, korrosioonikindlates materjalides, spetsiaalsetes komposiitmaterjalides kosmosetööstuses, aatomireaktori materjalides ja biomeditsiinilistes materjalides, vaid kasutatakse laialdaselt ka erinevate pulbrite valmistamisel ja sünteesil. materjalid, puistematerjalid, uued kristallmaterjalid, keraamilised kiud ja teemantkiled. Ferroelektriliste materjalide, isoleermaterjalide, magnetmaterjalide ja optoelektrooniliste materjalide kui suuremahulise integraallülituse tehnoloogia õhukese kile valmistamise tehnoloogia valdkonnas on see veelgi hädavajalikum.
PõhimõttedCVD tehnoloogia
CVD-tehnoloogia on protsess, mille käigus viiakse reaktsioonikambrisse õhukese kile elemendid ja muud reaktsiooniks vajalikud gaasid sisaldavaid gaasilisi või vedelaid reaktiive, põhjustades substraadi pinnal keemilise reaktsiooni ja sadestades pinnale tahkeid aineid, et tekiks. õhuke kile.
See sisaldab nelja peamist etappi:
① Reaktsioonigaas hajub materjali pinna suunas;
② Reaktiivne gaas adsorbeerub materjali pinnale;
③ Materjalide pinnal toimuvad keemilised reaktsioonid;
④ Gaasilised kõrvalsaadused eralduvad materjali pinnalt.
CVD-tehnoloogia omadused
CVD-tehnoloogia abil moodustatud kilekiht on tihe ja ühtlane, kilekihi ja põhimiku vahel on tugev side, kile koostist on lihtne kontrollida, kiire sadestumiskiirus ja stabiilne kile kvaliteet. Mõnel spetsiaalsel kilekihil on ka suurepärased optilised, termilised ja elektrilised omadused, mistõttu on masstootmine lihtne. Kuid CVD sadestumistemperatuur on tavaliselt väga kõrge, vahemikus 900 kuni 2000 kraadi, mis võib kergesti põhjustada osade deformeerumist ja mikrostruktuuri muutusi, vähendades seeläbi kehamaterjali mehaanilisi omadusi ja nõrgendades keha materjali ja sideme vahelist jõudu. kattekiht, mis piirab substraatide valikut, sadestamiskihte või saadud tooriku kvaliteeti. Praegu areneb CVD-tehnoloogia kahes suunas: keskmine ja madal temperatuur ning kõrgvaakum ning kombineeritakse plasma-, laser-, ultraheli- ja muude tehnoloogiatega, et moodustada palju uusi CVD-tehnoloogiaid.
